casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFH5250DTR2PBF
Número da peça de fabricante | IRFH5250DTR2PBF |
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Número da peça futura | FT-IRFH5250DTR2PBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRFH5250DTR2PBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 25V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Ta), 100A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 83nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6115pF @ 13V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-PQFN (5x6) |
Pacote / caso | 8-PowerVDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH5250DTR2PBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFH5250DTR2PBF-FT |
IPW60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R190P6FKSA1
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IPW60R230P6FKSA1
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IPW60R280P6FKSA1
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IPW65R048CFDAFKSA1
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IPW65R125C7XKSA1
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IPW65R150CFDAFKSA1
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LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
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XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel