casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFD9110PBF
Número da peça de fabricante | IRFD9110PBF |
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Número da peça futura | FT-IRFD9110PBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IRFD9110PBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 700mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 420mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.3W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Pacote / caso | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFD9110PBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFD9110PBF-FT |
TK4A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK4A55DA(STA4,Q,M)
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TK4A60D(STA4,Q,M)
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