casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFD9110PBF
Número da peça de fabricante | IRFD9110PBF |
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Número da peça futura | FT-IRFD9110PBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IRFD9110PBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 700mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 420mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.3W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Pacote / caso | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFD9110PBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFD9110PBF-FT |
TK4A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK4A55DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK4A60D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK4A60DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK4A60DB(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK4A65DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK5A45DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK5A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK5A53D(STA4,Q,M)
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TK5A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
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10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
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EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel