casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFD120
Número da peça de fabricante | IRFD120 |
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Número da peça futura | FT-IRFD120 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IRFD120 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1.3A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 780mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.3W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Pacote / caso | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFD120 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFD120-FT |
TK7A65D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8A45D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8A45DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8A50DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8A55DA(STA4,Q,M)
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TK8A60DA(STA4,Q,M)
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TK9A45D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK9A55DA(STA4,Q,M)
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TK9A60D(STA4,Q,M)
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A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
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5SGXEB5R1F40I2N
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5SGXMA3K3F40C2N
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EP3SE260F1517C2N
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10AX115U2F45I2SGE2
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