casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TK9A55DA(STA4,Q,M)
Número da peça de fabricante | TK9A55DA(STA4,Q,M) |
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Número da peça futura | FT-TK9A55DA(STA4,Q,M) |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | π-MOSVII |
TK9A55DA(STA4,Q,M) Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 550V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 8.5A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 860 mOhm @ 4.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1050pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 40W (Tc) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220SIS |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK9A55DA(STA4,Q,M) Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TK9A55DA(STA4,Q,M)-FT |
TK22E10N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK40E10N1,S1X
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XC5VLX30-1FF676I
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AGL600V2-FG144
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LFXP2-8E-5MN132C
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