casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFBE30L
Número da peça de fabricante | IRFBE30L |
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Número da peça futura | FT-IRFBE30L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IRFBE30L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 800V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 4.1A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 78nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 125W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | I2PAK |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFBE30L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFBE30L-FT |
SIRC16DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR164DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR606DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR618DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR622DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR624DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR632DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR690DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR696DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIRA54DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel