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Infineon Technologies IRFB59N10DPBF

Name: IRFB59N10DPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFB59N10DPBF
Price: 1.992 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (552 reviews)

Número da peça MFG: IRFB59N10DPBF

Quantidade disponível: 86710 Peças

Preço de referência: USD 1.992

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: HEXFET® MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IRFB59N10DPBF.pdf

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IRFB59N10DPBF Especificações

Número da peça de fabricante	IRFB59N10DPBF
Número da peça futura	FT-IRFB59N10DPBF
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	HEXFET®
IRFB59N10DPBF Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	59A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 35.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	114nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2450pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	3.8W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-220AB
Pacote / caso	TO-220-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFB59N10DPBF Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IRFB59N10DPBF-FT

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