casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF60B217
Número da peça de fabricante | IRF60B217 |
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Número da peça futura | FT-IRF60B217 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | StrongIRFET™ |
IRF60B217 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 36A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 50µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2230pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 83W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF60B217 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRF60B217-FT |
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Xilinx Inc.
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LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
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EP4SGX230HF35I4N
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