casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF9Z34NSTRRPBF
Número da peça de fabricante | IRF9Z34NSTRRPBF |
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Número da peça futura | FT-IRF9Z34NSTRRPBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRF9Z34NSTRRPBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 55V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.8W (Ta), 68W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF9Z34NSTRRPBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRF9Z34NSTRRPBF-FT |
IRF3709STRR
Infineon Technologies
IRF3709STRRPBF
Infineon Technologies
IRF3709ZCS
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IRF3709ZSPBF
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IRF3709ZSTRLPBF
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IRF3709ZSTRR
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XC3S200A-4FT256I
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XC3S2000-4FG456C
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EP2C50F672I8
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XC6SLX4-2CSG225I
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AGL600V2-CSG281
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LFXP6C-3Q208C
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LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel