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Infineon Technologies IRF3709STRRPBF

Número da peça MFG
IRF3709STRRPBF
Quantidade disponível
28140 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
HEXFET® MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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IRF3709STRRPBF Especificações

Número da peça de fabricante IRF3709STRRPBF
Número da peça futura FT-IRF3709STRRPBF
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series HEXFET®
IRF3709STRRPBF Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 90A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2672pF @ 16V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor D2PAK
Pacote / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF3709STRRPBF Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IRF3709STRRPBF-FT

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