casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF9Z24NSTRR
Número da peça de fabricante | IRF9Z24NSTRR |
---|---|
Número da peça futura | FT-IRF9Z24NSTRR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRF9Z24NSTRR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 55V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175 mOhm @ 7.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.8W (Ta), 45W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF9Z24NSTRR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRF9Z24NSTRR-FT |
IRF3709S
Infineon Technologies
IRF3709STRL
Infineon Technologies
IRF3709STRLPBF
Infineon Technologies
IRF3709STRR
Infineon Technologies
IRF3709STRRPBF
Infineon Technologies
IRF3709ZCS
Infineon Technologies
IRF3709ZCSTRL
Infineon Technologies
IRF3709ZCSTRR
Infineon Technologies
IRF3709ZS
Infineon Technologies
IRF3709ZSPBF
Infineon Technologies
A3PN015-1QNG68I
Microsemi Corporation
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
Microsemi Corporation
A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel