casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / IRF9910
Número da peça de fabricante | IRF9910 |
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Número da peça futura | FT-IRF9910 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRF9910 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 10A, 12A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.4 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 10V |
Potência - Max | 2W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF9910 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRF9910-FT |
BSO604NS2XUMA1
Infineon Technologies
IRF7101PBF
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IRF7102
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A1425A-VQ100C
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517C4L
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5SGXEA9N1F45I2N
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XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LFEC6E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F29I8LN
Intel
EP1K30QC208-3
Intel
EP4SGX290FF35C3N
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