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Infineon Technologies IRF9910PBF
- Número da peça MFG
- IRF9910PBF
- Quantidade disponível
- 85100 Peças
- Preço de referência
- USD 0
- Nosso preço
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- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- Infineon Technologies
- Descrição breve
- HEXFET® MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- IRF9910PBF.pdf
IRF9910PBF Especificações
| Número da peça de fabricante | IRF9910PBF |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-IRF9910PBF |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | HEXFET® |
| IRF9910PBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Recurso FET | Logic Level Gate |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 10A, 12A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.4 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 10V |
| Potência - Max | 2W |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IRF9910PBF Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | IRF9910PBF-FT |
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