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Infineon Technologies IRF8010PBF

Name: IRF8010PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF8010PBF
Price: 1.84 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (767 reviews)

Número da peça MFG: IRF8010PBF

Quantidade disponível: 64030 Peças

Preço de referência: USD 1.84

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: HEXFET® MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IRF8010PBF.pdf

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IRF8010PBF Especificações

Número da peça de fabricante	IRF8010PBF
Número da peça futura	FT-IRF8010PBF
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	HEXFET®
IRF8010PBF Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3830pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	260W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-220AB
Pacote / caso	TO-220-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF8010PBF Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IRF8010PBF-FT

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