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Infineon Technologies IRF200B211

Name: IRF200B211
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF200B211
Price: 0.928 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (39 reviews)

Número da peça MFG: IRF200B211

Quantidade disponível: 50080 Peças

Preço de referência: USD 0.928

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: HEXFET®, StrongIRFET™ MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IRF200B211.pdf

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IRF200B211 Especificações

Número da peça de fabricante	IRF200B211
Número da peça futura	FT-IRF200B211
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	HEXFET®, StrongIRFET™
IRF200B211 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170 mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.9V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	790pF @ 50V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	80W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-220AB
Pacote / caso	TO-220-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF200B211 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IRF200B211-FT

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