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Infineon Technologies IRF7799L2TR1PBF

Número da peça MFG
IRF7799L2TR1PBF
Quantidade disponível
50950 Peças
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USD 0
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Data de envio
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fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
HEXFET® MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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IRF7799L2TR1PBF Especificações

Número da peça de fabricante IRF7799L2TR1PBF
Número da peça futura FT-IRF7799L2TR1PBF
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series HEXFET®
IRF7799L2TR1PBF Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 375A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 165nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6714pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 4.3W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor DIRECTFET L8
Pacote / caso DirectFET™ Isometric L8
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF7799L2TR1PBF Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IRF7799L2TR1PBF-FT

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