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IXYS IXTA1R6N100D2HV

Name: IXTA1R6N100D2HV
Brand: IXYS
SKU: IXTA1R6N100D2HV
Price: 2.07008 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (602 reviews)

Número da peça MFG: IXTA1R6N100D2HV

Quantidade disponível: 43540 Peças

Preço de referência: USD 2.07008

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: IXYS

Descrição breve: - MOSFET N-CH

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IXTA1R6N100D2HV.pdf

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IXTA1R6N100D2HV Especificações

Número da peça de fabricante	IXTA1R6N100D2HV
Número da peça futura	FT-IXTA1R6N100D2HV
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
IXTA1R6N100D2HV Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	1.6A (Tj)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 5V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	645pF @ 10V
Recurso FET	Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.)	100W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-263HV
Pacote / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTA1R6N100D2HV Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IXTA1R6N100D2HV-FT

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