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Vishay Siliconix SI6562CDQ-T1-GE3

Número da peça MFG
SI6562CDQ-T1-GE3
Quantidade disponível
58460 Peças
Preço de referência
USD 0.38704
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Data de envio
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fabricante
Vishay Siliconix
Descrição breve
TrenchFET® MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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SI6562CDQ-T1-GE3 Especificações

Número da peça de fabricante SI6562CDQ-T1-GE3
Número da peça futura FT-SI6562CDQ-T1-GE3
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series TrenchFET®
SI6562CDQ-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N and P-Channel
Recurso FET Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 6.7A, 6.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 5.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 10V
Potência - Max 1.6W, 1.7W
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / caso 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 8-TSSOP
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI6562CDQ-T1-GE3 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição SI6562CDQ-T1-GE3-FT

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