casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF3415SPBF
Número da peça de fabricante | IRF3415SPBF |
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Número da peça futura | FT-IRF3415SPBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRF3415SPBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 150V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 43A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 22A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF3415SPBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRF3415SPBF-FT |
IPB80N06S4L07ATMA2
Infineon Technologies
IPB80N08S207ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N08S406ATMA1
Infineon Technologies
IPB80P03P405ATMA1
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IPB80P03P4L04ATMA1
Infineon Technologies
IPB80P03P4L07ATMA1
Infineon Technologies
IPB80P04P405ATMA1
Infineon Technologies
IPB80P04P407ATMA1
Infineon Technologies
IPB80P04P4L04ATMA1
Infineon Technologies
IPB80P04P4L06ATMA1
Infineon Technologies
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel