casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB80N08S207ATMA1
Número da peça de fabricante | IPB80N08S207ATMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPB80N08S207ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPB80N08S207ATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 75V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.1 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4700pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 300W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO263-3-2 |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB80N08S207ATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPB80N08S207ATMA1-FT |
IPB60R199CPATMA1
Infineon Technologies
IPB60R230P6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R250CPATMA1
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IPB60R280C6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R280P6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R299CPAATMA1
Infineon Technologies
IPB60R299CPATMA1
Infineon Technologies
IPB60R330P6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel