casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF2807ZSPBF

| Número da peça de fabricante | IRF2807ZSPBF |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-IRF2807ZSPBF |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | HEXFET® |
| IRF2807ZSPBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 75V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.4 mOhm @ 53A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3270pF @ 25V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 170W (Tc) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
| Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IRF2807ZSPBF Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | IRF2807ZSPBF-FT |

IPB80N06S209ATMA2
Infineon Technologies

IPB80N06S2H5ATMA1
Infineon Technologies

IPB80N06S2L-H5
Infineon Technologies

IPB80N06S2L05ATMA1
Infineon Technologies

IPB80N06S2L06ATMA1
Infineon Technologies

IPB80N06S2L06ATMA2
Infineon Technologies

IPB80N06S2L07ATMA1
Infineon Technologies

IPB80N06S2L07ATMA3
Infineon Technologies

IPB80N06S2L09ATMA1
Infineon Technologies

IPB80N06S2L09ATMA2
Infineon Technologies

XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.

LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation

M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation

M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation

EP2S60F484C5
Intel

5SGXMA7K3F40C3
Intel

XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.

5AGXMA7G4F35I5N
Intel

EPF8820QC160-4
Intel