casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF2807STRRPBF
Número da peça de fabricante | IRF2807STRRPBF |
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Número da peça futura | FT-IRF2807STRRPBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRF2807STRRPBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 75V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 82A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 43A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3820pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 230W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF2807STRRPBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRF2807STRRPBF-FT |
IPB80N06S208ATMA2
Infineon Technologies
IPB80N06S209ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S209ATMA2
Infineon Technologies
IPB80N06S2H5ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S2L-H5
Infineon Technologies
IPB80N06S2L05ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S2L06ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S2L06ATMA2
Infineon Technologies
IPB80N06S2L07ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S2L07ATMA3
Infineon Technologies
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel