casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF2807SPBF
Número da peça de fabricante | IRF2807SPBF |
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Número da peça futura | FT-IRF2807SPBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRF2807SPBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 75V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 82A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 43A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3820pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 230W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF2807SPBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRF2807SPBF-FT |
IPB80N06S207ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S207ATMA4
Infineon Technologies
IPB80N06S208ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S208ATMA2
Infineon Technologies
IPB80N06S209ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S209ATMA2
Infineon Technologies
IPB80N06S2H5ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S2L-H5
Infineon Technologies
IPB80N06S2L05ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S2L06ATMA1
Infineon Technologies
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel