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Infineon Technologies IRF1902GTRPBF

Número da peça MFG
IRF1902GTRPBF
Quantidade disponível
35790 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
HEXFET® MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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IRF1902GTRPBF Especificações

Número da peça de fabricante IRF1902GTRPBF
Número da peça futura FT-IRF1902GTRPBF
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series HEXFET®
IRF1902GTRPBF Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 4.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V
Vgs (máx.) -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 310pF @ 15V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) -
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 8-SO
Pacote / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF1902GTRPBF Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IRF1902GTRPBF-FT

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