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Infineon Technologies BSO080P03SHXUMA1

Name: BSO080P03SHXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSO080P03SHXUMA1
Price: 0.6006 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (695 reviews)

Número da peça MFG: BSO080P03SHXUMA1

Quantidade disponível: 70250 Peças

Preço de referência: USD 0.6006

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: OptiMOS™ MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: BSO080P03SHXUMA1.pdf

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BSO080P03SHXUMA1 Especificações

Número da peça de fabricante	BSO080P03SHXUMA1
Número da peça futura	FT-BSO080P03SHXUMA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	OptiMOS™
BSO080P03SHXUMA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	12.6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 14.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	136nC @ 10V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5890pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.79W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	P-DSO-8
Pacote / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSO080P03SHXUMA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	BSO080P03SHXUMA1-FT

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