casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF1010ZL
Número da peça de fabricante | IRF1010ZL |
---|---|
Número da peça futura | FT-IRF1010ZL |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRF1010ZL Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 55V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2840pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 140W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-262 |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF1010ZL Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRF1010ZL-FT |
SPD30N08S2L-21
Infineon Technologies
SPD30P06P
Infineon Technologies
SPD35N10
Infineon Technologies
SPD50N03S2-07
Infineon Technologies
SPD50N03S207GBTMA1
Infineon Technologies
SPD50N03S2L-06
Infineon Technologies
SPD50N03S2L06GBTMA1
Infineon Technologies
SPD50N03S2L06T
Infineon Technologies
SPD50N06S2L-13
Infineon Technologies
IRFSL3806PBF
Infineon Technologies
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-2PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP640-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2AJC
Microchip Technology
EP3CLS200F780I7
Intel
EPF6016AFC100-3N
Intel