casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB65R065C7ATMA1
Número da peça de fabricante | IPB65R065C7ATMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPB65R065C7ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ P6 |
IPB65R065C7ATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 7.3A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 2.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 557pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 171W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D²PAK (TO-263AB) |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB65R065C7ATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPB65R065C7ATMA1-FT |
IPB100N10S305ATMA1
Infineon Technologies
IPB100N12S305ATMA1
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IPB11N03LA
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IPB11N03LA G
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IPB120N03S4L03ATMA1
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LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
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XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
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5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
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