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Número da peça de fabricante | IR02EB6R8J |
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Número da peça futura | FT-IR02EB6R8J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IR |
IR02EB6R8J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Iron |
Indutância | 6.8µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 175mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 2 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.9MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 60MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.9MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR02EB6R8J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IR02EB6R8J-FT |
IR02BH150J
Vishay Dale
IR02BH150K
Vishay Dale
IR02BH151J
Vishay Dale
IR02BH151K
Vishay Dale
IR02BH180K
Vishay Dale
IR02BH181K
Vishay Dale
IR02BH1R0J
Vishay Dale
IR02BH1R0K
Vishay Dale
IR02BH1R2F
Vishay Dale
IR02BH1R2J
Vishay Dale
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel