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Número da peça de fabricante | IR02BH1R2F |
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Número da peça futura | FT-IR02BH1R2F |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IR |
IR02BH1R2F Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Iron |
Indutância | 1.2µH |
Tolerância | ±1% |
Classificação atual | 590mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 180 mOhm Max |
Q @ Freq | 25 @ 7.9MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 150MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.9MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR02BH1R2F Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IR02BH1R2F-FT |
IMS05WDSH102J40
Vishay Dale
IMS05WDSH102K40
Vishay Dale
IMS05WDSH103K40
Vishay Dale
IMS05WDSH120K40
Vishay Dale
IMS05WDSH121K40
Vishay Dale
IMS05WDSH123J40
Vishay Dale
IMS05WDSH123K40
Vishay Dale
IMS05WDSH151J40
Vishay Dale
IMS05WDSH152J40
Vishay Dale
IMS05WDSH181J40
Vishay Dale
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel