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Infineon Technologies IPU60R1K0CEAKMA2

Name: IPU60R1K0CEAKMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPU60R1K0CEAKMA2
Price: 0.24556 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (362 reviews)

Número da peça MFG: IPU60R1K0CEAKMA2

Quantidade disponível: 60170 Peças

Preço de referência: USD 0.24556

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: CoolMOS™ CE MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-251-3

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IPU60R1K0CEAKMA2.pdf

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IPU60R1K0CEAKMA2 Especificações

Número da peça de fabricante	IPU60R1K0CEAKMA2
Número da peça futura	FT-IPU60R1K0CEAKMA2
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	CoolMOS™ CE
IPU60R1K0CEAKMA2 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	4.3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 130µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	280pF @ 100V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	61W (Tc)
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TO251-3
Pacote / caso	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPU60R1K0CEAKMA2 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IPU60R1K0CEAKMA2-FT

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