casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPU075N03L G
Número da peça de fabricante | IPU075N03L G |
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Número da peça futura | FT-IPU075N03L G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPU075N03L G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 47W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO251-3 |
Pacote / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPU075N03L G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPU075N03L G-FT |
BSZ16DN25NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ180P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies
BSZ180P03NS3GATMA1
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BSZ240N12NS3GATMA1
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BSZ42DN25NS3GATMA1
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BSZ900N15NS3GATMA1
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BSZ900N20NS3GATMA1
Infineon Technologies
IPC100N04S52R8ATMA1
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IPC100N04S5L1R1ATMA1
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IPC100N04S5L1R5ATMA1
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LCMXO2-1200ZE-2TG144I
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XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel