casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPU05N03LA
Número da peça de fabricante | IPU05N03LA |
---|---|
Número da peça futura | FT-IPU05N03LA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPU05N03LA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 25V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 50µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3110pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 94W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | P-TO251-3-1 |
Pacote / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPU05N03LA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPU05N03LA-FT |
BSZ130N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ150N10LS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ160N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ16DN25NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ180P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies
BSZ180P03NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ240N12NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ42DN25NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ900N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ900N20NS3GATMA1
Infineon Technologies
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel