casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPSH4N03LA G
Número da peça de fabricante | IPSH4N03LA G |
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Número da peça futura | FT-IPSH4N03LA G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPSH4N03LA G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 25V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 40µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3200pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 94W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO251-3 |
Pacote / caso | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPSH4N03LA G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPSH4N03LA G-FT |
IPB180N04S400ATMA1
Infineon Technologies
IPB017N10N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB065N15N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB009N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPB030N08N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB044N15N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB160N04S4H1ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N04S401ATMA1
Infineon Technologies
IRL40SC209
Infineon Technologies
AUIRFSA8409-7P
Infineon Technologies
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel