casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB017N10N5ATMA1
Número da peça de fabricante | IPB017N10N5ATMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPB017N10N5ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPB017N10N5ATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 279µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 210nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 15600pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 375W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO263-7 |
Pacote / caso | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB017N10N5ATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPB017N10N5ATMA1-FT |
IRF4104
Infineon Technologies
IRF4104GPBF
Infineon Technologies
IRF520N
Infineon Technologies
IRF540Z
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IRF9204PBF
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IRFB17N20D
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IRFB3006GPBF
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IRFB3077GPBF
Infineon Technologies
A3P030-2QNG68I
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A1425A-1PQ100I
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XC4052XL-09HQ304C
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A3P125-2PQ208I
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A3P250L-VQG100I
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EP2AGX125DF25C4N
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EP1C20F324I7N
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