casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSC883N03MSGATMA1
Número da peça de fabricante | BSC883N03MSGATMA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-BSC883N03MSGATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSC883N03MSGATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 34V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Ta), 98A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3200pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 57W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TDSON-8 |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC883N03MSGATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSC883N03MSGATMA1-FT |
BSC030N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC030N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC032N03S
Infineon Technologies
BSC032N03SG
Infineon Technologies
BSC032N04LSATMA1
Infineon Technologies
BSC032NE2LSATMA1
Infineon Technologies
BSC034N06NSATMA1
Infineon Technologies
BSC035N04LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC035N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC037N025S G
Infineon Technologies
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel