casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPS70R360P7SAKMA1
Número da peça de fabricante | IPS70R360P7SAKMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPS70R360P7SAKMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ P7 |
IPS70R360P7SAKMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 700V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 12.5A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 16.4nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±16V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 517pF @ 400V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 59.5W (Tc) |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO251-3 |
Pacote / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPS70R360P7SAKMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPS70R360P7SAKMA1-FT |
BSZ0901NSATMA1
Infineon Technologies
BSZ100N03LSGATMA1
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BSZ120P03NS3EGATMA1
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BSZ120P03NS3GATMA1
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BSZ160N10NS3GATMA1
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BSZ16DN25NS3GATMA1
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BSZ180P03NS3EGATMA1
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A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel