casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPS65R600E6AKMA1
Número da peça de fabricante | IPS65R600E6AKMA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-IPS65R600E6AKMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ E6 |
IPS65R600E6AKMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 650V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 7.3A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 2.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 210µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 63W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO251-3 |
Pacote / caso | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPS65R600E6AKMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPS65R600E6AKMA1-FT |
IRFPS3810PBF
Infineon Technologies
IRFPS3810
Infineon Technologies
IRFPS3815PBF
Infineon Technologies
IPB010N06NATMA1
Infineon Technologies
IPB180N04S400ATMA1
Infineon Technologies
IPB017N10N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB065N15N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB009N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPB030N08N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB044N15N5ATMA1
Infineon Technologies
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel