casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPP80N06S3L-05
Número da peça de fabricante | IPP80N06S3L-05 |
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Número da peça futura | FT-IPP80N06S3L-05 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPP80N06S3L-05 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 55V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 69A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 115µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 273nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±16V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 13060pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 165W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-3-1 |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP80N06S3L-05 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPP80N06S3L-05-FT |
IPP60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R074C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R099C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R099CPAAKSA1
Infineon Technologies
IPP60R099CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R125CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel