casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPP065N04N G
Número da peça de fabricante | IPP065N04N G |
---|---|
Número da peça futura | FT-IPP065N04N G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPP065N04N G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 40V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 20V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 68W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-3 |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP065N04N G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPP065N04N G-FT |
IPP80R450P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP015N04NGXKSA1
Infineon Technologies
IPP530N15N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP039N04LGXKSA1
Infineon Technologies
IPP65R110CFDAAKSA1
Infineon Technologies
IRF135B203
Infineon Technologies
IPP60R070CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPP034NE7N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP12CN10LGXKSA1
Infineon Technologies
IPP055N03LGXKSA1
Infineon Technologies
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel