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BUZ32 H Image

Infineon Technologies BUZ32 H

Número da peça MFG
BUZ32 H
Quantidade disponível
98640 Peças
Preço de referência
USD 1.424
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Data de envio
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fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
SIPMOS® MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
BUZ32 H.pdf
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BUZ32 H Especificações

Número da peça de fabricante BUZ32 H
Número da peça futura FT-BUZ32 H
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series SIPMOS®
BUZ32 H Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 9.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 530pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 75W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor PG-TO220-3
Pacote / caso TO-220-3
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BUZ32 H Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição BUZ32 H-FT

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