casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPP045N10N3GHKSA1
Número da peça de fabricante | IPP045N10N3GHKSA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-IPP045N10N3GHKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPP045N10N3GHKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 117nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8410pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 214W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-3 |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP045N10N3GHKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPP045N10N3GHKSA1-FT |
IPP041N04NGXKSA1
Infineon Technologies
IPP100N10S305AKSA1
Infineon Technologies
IPP50R299CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP200N25N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R190C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R125C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP040N06N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP50R380CEXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
SPP06N80C3XKSA1
Infineon Technologies
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel