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Infineon Technologies IPP50R299CPXKSA1

Name: IPP50R299CPXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP50R299CPXKSA1
Price: 2 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (789 reviews)

Número da peça MFG: IPP50R299CPXKSA1

Quantidade disponível: 86500 Peças

Preço de referência: USD 2

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: CoolMOS™ MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IPP50R299CPXKSA1.pdf

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IPP50R299CPXKSA1 Especificações

Número da peça de fabricante	IPP50R299CPXKSA1
Número da peça futura	FT-IPP50R299CPXKSA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	CoolMOS™
IPP50R299CPXKSA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	550V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	299 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 440µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1190pF @ 100V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	104W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TO220-3-1
Pacote / caso	TO-220-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPP50R299CPXKSA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IPP50R299CPXKSA1-FT

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