casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPP086N10N3GXKSA1
Número da peça de fabricante | IPP086N10N3GXKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IPP086N10N3GXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPP086N10N3GXKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6 mOhm @ 73A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 75µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3980pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 125W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-3 |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP086N10N3GXKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPP086N10N3GXKSA1-FT |
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