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Infineon Technologies IPN60R3K4CEATMA1

Name: IPN60R3K4CEATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN60R3K4CEATMA1
Price: 0.145384 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (437 reviews)

Número da peça MFG: IPN60R3K4CEATMA1

Quantidade disponível: 81110 Peças

Preço de referência: USD 0.145384

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fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: CoolMOS™ MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IPN60R3K4CEATMA1.pdf

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IPN60R3K4CEATMA1 Especificações

Número da peça de fabricante	IPN60R3K4CEATMA1
Número da peça futura	FT-IPN60R3K4CEATMA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	CoolMOS™
IPN60R3K4CEATMA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	2.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 40µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	4.6nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	93pF @ 100V
Recurso FET	Super Junction
Dissipação de energia (máx.)	5W (Tc)
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-SOT223
Pacote / caso	SOT-223-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPN60R3K4CEATMA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IPN60R3K4CEATMA1-FT

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