casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPI80N06S3L-08
Número da peça de fabricante | IPI80N06S3L-08 |
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Número da peça futura | FT-IPI80N06S3L-08 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPI80N06S3L-08 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 55V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9 mOhm @ 43A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 55µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 134nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±16V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6475pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 105W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO262-3 |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI80N06S3L-08 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPI80N06S3L-08-FT |
IPI075N15N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPI076N12N3GAKSA1
Infineon Technologies
IPI08CN10N G
Infineon Technologies
IPI08CNE8N G
Infineon Technologies
IPI09N03LA
Infineon Technologies
IPI100N04S303AKSA1
Infineon Technologies
IPI100N04S4H2AKSA1
Infineon Technologies
IPI100N06S3-03
Infineon Technologies
IPI100N06S3-04
Infineon Technologies
IPI100N06S3L-03
Infineon Technologies
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel