casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPI80CN10N G
Número da peça de fabricante | IPI80CN10N G |
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Número da peça futura | FT-IPI80CN10N G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPI80CN10N G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 12µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 716pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 31W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO262-3 |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI80CN10N G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPI80CN10N G-FT |
IPI034NE7N3 G
Infineon Technologies
IPI037N06L3GHKSA1
Infineon Technologies
IPI037N08N3GHKSA1
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IPI037N08N3GXKSA1
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IPI041N12N3GAKSA1
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IPI04CN10N G
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IPI04N03LA
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IPI052NE7N3 G
Infineon Technologies
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
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10AX016C4U19I3SG
Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation