casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPI70N10S3L12AKSA1
Número da peça de fabricante | IPI70N10S3L12AKSA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-IPI70N10S3L12AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPI70N10S3L12AKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.1 mOhm @ 70A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 83µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5550pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 125W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO262-3 |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI70N10S3L12AKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPI70N10S3L12AKSA1-FT |
IPI030N10N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPI030N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPI032N06N3 G
Infineon Technologies
IPI034NE7N3 G
Infineon Technologies
IPI037N06L3GHKSA1
Infineon Technologies
IPI037N08N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPI037N08N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPI03N03LA
Infineon Technologies
IPI040N06N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPI041N12N3GAKSA1
Infineon Technologies
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel