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Infineon Technologies BSB028N06NN3GXUMA1

Name: BSB028N06NN3GXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSB028N06NN3GXUMA1
Price: 0.858 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (579 reviews)

Número da peça MFG: BSB028N06NN3GXUMA1

Quantidade disponível: 87720 Peças

Preço de referência: USD 0.858

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fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: OptiMOS™ MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: BSB028N06NN3GXUMA1.pdf

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BSB028N06NN3GXUMA1 Especificações

Número da peça de fabricante	BSB028N06NN3GXUMA1
Número da peça futura	FT-BSB028N06NN3GXUMA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	OptiMOS™
BSB028N06NN3GXUMA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	22A (Ta), 90A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 102µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	143nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	12000pF @ 30V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.2W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Pacote / caso	3-WDSON
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSB028N06NN3GXUMA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	BSB028N06NN3GXUMA1-FT

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