casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD90N06S404ATMA1
Número da peça de fabricante | IPD90N06S404ATMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPD90N06S404ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPD90N06S404ATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 90A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 128nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 10400pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 150W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO252-3 |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD90N06S404ATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPD90N06S404ATMA1-FT |
IPD50R3K0CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD50R3K0CEBTMA1
Infineon Technologies
IPD50R500CEATMA1
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IPD50R500CEAUMA1
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IPD50R520CP
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IPD50R650CEATMA1
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IPD50R650CEBTMA1
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IPD50R800CEATMA1
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IPD50R800CEBTMA1
Infineon Technologies
A3P060-1TQ144I
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M2GL025T-1FCSG325I
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EPF10K130EFI484-2
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LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
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10AX016E3F27I1HG
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