casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD50R500CEATMA1
Número da peça de fabricante | IPD50R500CEATMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPD50R500CEATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ CE |
IPD50R500CEATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 500V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 7.6A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 2.3A, 13V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 18.7nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 433pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 57W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO252-3 |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD50R500CEATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPD50R500CEATMA1-FT |
IPD075N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPD075N03LGBTMA1
Infineon Technologies
IPD082N10N3GATMA1
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IPD082N10N3GBTMA1
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IPD088N04LGBTMA1
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IPD090N03LGATMA1
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IPD096N08N3GATMA1
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IPD096N08N3GBTMA1
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IPD09N03LA G
Infineon Technologies
IPD09N03LB G
Infineon Technologies
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel