casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD50R399CP
Número da peça de fabricante | IPD50R399CP |
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Número da peça futura | FT-IPD50R399CP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ |
IPD50R399CP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 550V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 399 mOhm @ 4.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 330µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 83W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO252-3 |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD50R399CP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPD50R399CP-FT |
IPD068P03L3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD06N03LA G
Infineon Technologies
IPD06N03LB G
Infineon Technologies
IPD075N03LGATMA1
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IPD075N03LGBTMA1
Infineon Technologies
IPD082N10N3GATMA1
Infineon Technologies
IPD082N10N3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD088N04LGBTMA1
Infineon Technologies
IPD090N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPD096N08N3GATMA1
Infineon Technologies
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel